閃存。 SSD。 該類型的閃存。 存儲卡

閃存是一類長效存儲器的計算機，其中，所述內容可以被重新編程或移除電方法。 在與它上面電可擦除可編程只讀存儲器動作比較可以是在不同的地方的塊來執行。 閃存的成本遠遠低於EEPROM，因此它已成為主導技術。 特別是在你需要一個穩定的和長期數據保存的情況。 它的使用是允許在多種情況下：在數字音頻播放器，照相機，手機和智能手機，其中有存儲卡上特殊的Android應用程序。 此外，它在U盤使用，傳統上用來存儲信息和計算機之間傳輸。 她在遊戲的世界裡，它經常被納入用於存儲遊戲進度數據的滑收到了一定的惡名。

一般說明

閃存是一種類型，是能夠為長時間儲存在卡上的信息，而無需使用電源。 另外可以注意到最高的高速數據訪問，並與硬盤相比，更好的運動抗衝擊性能。 由於這種特徵，它已成為流行的設備，搭載的電池和蓄電池的參考。 另一個不可否認的優點是，當一個閃存卡被壓縮成固體，幾乎無法摧毀一些標準的物理方法，因此它可以承受開水和高壓。

低級別的數據訪問

數據訪問方法，位於閃速存儲器是從施加到常規類型非常不同的。 低級別的訪問是通過駕駛員進行。 普通RAM立即回應記者的電話讀取信息並記錄，返回等操作的結果，和閃存設備是這樣，這將需要時間進行反思。

該設備和操作原理

目前，常見的快閃存儲器，其被設計成odnotranzistornyh具有“浮動”柵極元件。 通過此，可以在與動態RAM，它需要一對晶體管和電容元件的比較提供一個高密度數據存儲。 目前市場上充斥著各種各樣的技術構建的基本要素對於這種類型的媒體，這是由領先的製造商設計。 所不同的是層的數目，寫入和擦除信息和組織結構，它通常是在標題所示的方法。

目前，有一對夫婦的類型是最常見的芯片：NOR和NAND。 在這兩個存儲晶體管連接被製成位線 - 分別在並聯和串聯。 第一種類型的細胞的大小是相當大的，而且是快速隨機訪問的可能性，使您可以直接從內存執行程序。 第二特徵是較小的篩目尺寸，以及快速順序訪問是更方便的時候，需要建立將存儲大量的信息塊類型設備。

大多數便攜式設備SSD使用內存類型NOR。 然而，現在它正在成為一個USB接口越來越普及的設備。 他們使用NAND型內存。 漸漸地取代了第一。

主要的問題 - 脆弱性

閃存驅動器系列產品的首批樣品不討好用戶更高的速度。 然而，現在的記錄速度和閱讀是可查看的全長電影或計算機操作系統上運行的水平。 許多廠商已經展示了機器，在硬盤驅動器被閃存所取代。 但是，這種技術有一個非常顯著的缺點，這成為阻礙更換現有磁盤的數據載體。 由於閃存設備的性質，它允許擦除和寫入信息的有限數量的週期，這是可以實現的，即使是小型便攜式設備，更何況它是如何經常在計算機上完成。 如果使用這種類型的媒體在個人電腦上的固態驅動器，然後迅速而來的嚴峻局面。

這是由於這樣的事實，這樣的驅動器是建立在的屬性 場效應晶體管 中的“浮動”門來存儲 電荷， 不存在或存在，其中在該晶體管被視為二進制邏輯1或零的存在的數字系統。 記錄和通過Fowler-Nordheim隧涉及電介質的方法製造的NAND存儲器的電子隧穿擦除數據。 它不需要 高電壓， 它允許你做出一個最小單元尺寸。 但正是這種方法導致細胞的物理劣化，因為在這種情況下，電流使電子穿過門，打破了屏障電介質。 然而，這樣的內存保證保質期為10年。 折舊芯片是不是因為讀取信息，但由於其擦除的操作和寫，因為閱讀不需要的細胞結構的變化，但只傳遞電流。

自然地，存儲器製造商在增加這種類型的固態驅動器的使用壽命的方向正在積極努力：它們被固定，以確保在記錄的均勻性/擦除過程中的陣列的單元以一個不磨損比其他人更。 用於負載均衡計劃路徑被優選使用。 例如，為了消除這種現象適用於“磨損均衡”技術。 因為該記錄是根據不同的物理地址進行的數據往往會有所變化，移動閃速存儲器的地址空間。 每個控制器都配備有自己的比對算法，所以它是非常困難的，因為實施細節尚未披露比較不同模式的有效性。 由於每年的閃存驅動器的容量正在成為使用更有效的算法，幫助確保設備性能的穩定性更加必要。

疑難解答

打擊這種現象的一個非常有效的方法是通過對邏輯轉發物理塊替換特殊算法大量使用記憶棒的裝置發生給予一定量的存儲器的冗餘，通過該負載的均勻性確保和糾錯。 並防止小區信息，有缺陷的，阻止或由備份替換的損失。 這樣的軟件，能夠阻止由分佈由3-5倍增加循環的次數，以確保負載的均勻性，但這是不夠的。

存儲卡 和其他類似的存儲設備將在其服務區域收納與文件系統表的事實表徵。 它可以防止信息讀在邏輯電平的故障，例如，不正確的或斷開的電能的供給的停止突然。 並使用由緩存系統提供的移動設備時，因為頻繁重寫對文件分配表和目錄內容的最具破壞性的影響。 即使對於存儲卡的特殊程序無法在這種情況下提供幫助。 例如，對於單個用戶處理複製成千上萬的文件。 並且，很明顯，只有一次施加到在它們被放置在記錄塊。 但服務區域對應每次更新的任何文件，也就是分配表經歷了這個過程數千次。 出於這個原因，在第一時間將無法通過這些數據佔用的數據塊。 技術“損耗均衡”的作品這樣的單位，但其效果是有限的。 然後它什麼並不重要，你用你的電腦，即使它是由創作者提供的閃存驅動器將被損壞。

值得注意的是，增加這種設備的能力已經導致了芯片只有一個事實，即寫入週期的總數目減少，由於細胞變得更小，需要較少的電壓，並耗散隔離氧化物分區“浮置柵極”。 而這裡的情況是這樣的，增加了設備的容量使用其可靠性問題日益加劇，類卡現在依賴於很多因素。 這樣的決定的可靠運行是由它的技術特點以及市場狀況目前流行的決定。 由於激烈的競爭迫使製造商削減以任何方式生產成本。 通過簡化設計，使用更便宜的一套組件，用於製造控制和其他方面的弱化，包括。 例如，存儲卡“三星”的成本會高於鮮為人知的同行多，但其可靠性要少得多的問題。 但在這裡，談談完全沒有問題太難了，只有在設備完全不知道廠家是很難指望更多的東西。

發展前景

雖然有明顯的優勢，有許多表徵SD存儲器卡，防止其應用的進一步擴大的缺點。 因此，保持在該領域的替代解決方案不斷地尋找。 當然，首先設法提高現有各類閃存，它不會導致現存的生產過程中的一些根本性的變化。 因此，毫無疑問只有一個：公司參與這些類型的驅動器的製造，將嘗試使用它的全部潛力，就移動到不同類型的持續改進傳統工藝之前。 例如，索尼記憶卡目前生產在寬的體積範圍，因此假定它是，並且將繼續積極出售。

然而，迄今為止，在工業實施的門檻是替代存儲技術，其中一些可以立刻在有利的市場條件發生而被執行的整個範圍。

鐵電RAM（FRAM）

技術原理鐵電存儲器（鐵電RAM，FRAM）建議建立一個非易失性存儲器容量。 據認為，在現有的技術，其中包括在讀的基本組件的所有修改的過程中覆蓋數據的機制，導致高速器件的潛力有一定的遏制。 甲FRAM - 存儲器，其特徵在於通過簡單，可靠性高，操作的速度。 這些屬性是現在特點DRAM的 - 存在此刻揮發性RAM。 但隨後更多將被添加，和長期存儲的數據，其特點是有可能 的SD存儲卡。 中該技術的優點可以是，其可以在被用來在增加的放射性的條件下或在空間研究工作特殊設備來權利不同類型的穿透輻射的可分辨性。 信息存儲機構是通過將鐵電效應實現。 這意味著，該材料能夠在沒有外部電場以維持偏振。 每個FRAM存儲器單元是通過將鐵電材料的超薄膜在一對形成電容器扁平金屬電極之間晶體的形式形成。 在這種情況下，數據被保持在晶體結構內。 這可以防止電荷洩漏的影響，這會導致信息丟失。 即使電源電壓在FRAM存儲器中的數據被保留。

磁性RAM（MRAM）

另一種類型的內存，這是今天被認為是非常有前途的，是MRAM。 它的特點是相對高的高速性能和非揮發性。 在這種情況下單位單元是放置在矽襯底上的薄磁膜。 MRAM是一種靜態存儲器。 它並不需要定期重寫，並在電源關閉的信息也不會丟失。 目前，大多數專家都認為，這種類型的內存可以為現有的原型演示了一個相當高的速度性能被稱為下一代技術。 這種解決方案的另一個優點是芯片的成本低。 閃存是按照專業CMOS工藝製成。 甲MRAM芯片可以通過標準製造工藝來製造。 此外，所述材料可以用作那些在常規磁介質使用。 生產這些芯片的大批量生產是比所有其他便宜得多。 重要MRAM記憶功能是使瞬間的能力。 這是移動設備尤其重要。 實際上，在這種類型的細胞通過磁荷的值來確定，而不是電的，如在常規閃速存儲器中。

雙向通用存儲器（OUM）

另一種類型的存儲器等很多企業都在積極努力 - 這是一個基於驅動器的固態非晶半導體。 在其底部位於相變技術，類似於記錄在傳統盤的原理。 在這裡，在一個電場的物質的相狀態從晶態改變為無定形的。 而這種變化是存儲在沒有電壓。 從常規 的光盤 ，這種裝置的特徵在於，通過加熱電流，而不是激光器的動作發生。 讀數在這種情況下，由於在不同的狀態中的反射能力的物質的差異，這是由在驅動傳感器感知進行。 從理論上講，這樣的解決方案具有高密度的數據存儲和最高的可靠性，以及增加的速度。 高的數字是寫入週期的最大數目，它使用一台計算機，閃存驅動器，在這種情況下，通過數個數量級滯後。

硫屬化物RAM（CRAM）和相變存儲器（PRAM）

該技術還基於相變的基礎上，當在載體中使用的一個相物質作為非導電性無定形材料，並且所述第二導體是結晶的。 存儲器單元的從一個狀態到另一個的轉換由電場和加熱下進行。 這樣的芯片的特徵在於抗電離輻射。

信息化多層印跡卡（INFO-MICA）

內置該技術的基礎上，工作裝置，基於薄膜全息原理。 第一成形發射到CGH技術的全息圖的二維圖像：信息如下被記錄。 數據的讀出是由於在記錄層中的一個，所述光波導員工的邊緣處的激光束的固定。 光沿著其被佈置成平行於層的平面，形成對應於先前記錄的信息的輸出圖像的軸傳播。 初始數據可以在通過逆編碼算法的任何時刻獲得。

這是由於，可確保高數據密度，低功耗和載體的成本低，環境安全和防止未經授權的使用的事實的類型有利地與半導體存儲器。 但是重寫的信息，例如存儲卡不允許，因此，可僅作為長期儲存，更換紙介質或用於多媒體內容分發的替代光盤。